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纳米铟粉

纳米铟粉

纳米铟粉通过可变电流激光离子束气相法生产,纯度高,粒度均匀,易分散,表面活性高,可用于半导体、高纯合金以及硅太阳能电池背场铝浆(银浆、铝浆等),抗静电材料等方面;纳米铟粉可以作为抗静电透明涂料和表面材料的添加剂进行使用。查看更多>>
纳米二硫化钼粉

纳米二硫化钼粉

通过可变电流激光离子束气相法制备的纳米二硫化钼粉,所得产品纯度高,粒度分布窄,工艺产率稳定,熔点1185℃,密度4.80g/cm3(14℃),莫氏硬度1.0~1.5。1370℃开始分解,1600℃分解为金属钼和硫。315℃在空气中加热时开始被氧化,温度升高,氧化反应加快。查看更多>>
微纳米硅化钽粉

微纳米硅化钽粉

微纳米二硅化钽粉通过可变电流激光离子束气相法制备,纯度高,粒径小,分布均匀,比表面积大,表面活性高,耐高温,抗氧化,硬度高,是一种工程材料。TaSi2=237.12,密度9.14g/cm3,熔点2200℃。查看更多>>
微纳米硅化铪粉

微纳米硅化铪粉

微纳米二硅化铪粉、微米二硅化铪粉通过可变电流激光离子束气相法制备,纯度高,粒径小,分布均匀,比表面积大,表面活性高,耐高温,抗氧化,硬度高,是一种工程材料,在各个领域有着应用。高熔点(1680℃)、高硬度、高稳定性以及良好的导电性、导热性、抗氧化性。查看更多>>
微纳米硅化钼粉

微纳米硅化钼粉

微纳米二硅化钼粉通过可变电流激光离子束气相法制备,纯度高,粒径小,分布均匀,是一种工程材料,MoSi2=152.12,密度6.26 g/ cm3,熔点2030℃,具有导电性,在高温下表面能形成二氧化硅钝化层以阻止进一步氧化,MoSi2是Mo-Si二元合金系中含硅量高的一种中间相,具有金属与陶瓷的双重特性查看更多>>
亚微米氮化铝粉

亚微米氮化铝粉

氮化铝是原子晶体,属类金刚石氮化物,可稳定到2200℃。室温强度高,且强度随温度的升高下降较慢。导热性好,热膨胀系数小,是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强,是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体,介电性能良好,用作电器元件也很有希望。由于氮化铝压电效应的特性,氮化铝晶体的外延性伸展也用于表面声学波的探测器查看更多>>
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